Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 600V V(DRM)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 10 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 0.2 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 1.5 V |
| 最大维持电流 | 6 mA |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大漏电流 | 0.5 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 100 A |
| 最大通态电压 | 2 V |
| 最大通态电流 | 8000 A |
| 最高工作温度 | 110 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 断态重复峰值电压 | 600 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 触发设备类型 | SCR |
| Base Number Matches | 1 |
| MCR72-8 | MCR72-6 | |
|---|---|---|
| 描述 | Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 600V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 400V V(DRM) |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknow |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 10 V/us | 10 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 0.2 mA | 0.2 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 1.5 V | 1.5 V |
| 最大维持电流 | 6 mA | 6 mA |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 最大漏电流 | 0.5 mA | 0.5 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 100 A | 100 A |
| 最大通态电压 | 2 V | 2 V |
| 最大通态电流 | 8000 A | 8000 A |
| 最高工作温度 | 110 °C | 110 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 断态重复峰值电压 | 600 V | 400 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 触发设备类型 | SCR | SCR |
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