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BUK105-50LP

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小831KB,共11页
制造商North American Philips Discrete Products Div
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BUK105-50LP概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

BUK105-50LP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)26 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)75 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

BUK105-50LP相似产品对比

BUK105-50LP BUK105-50L BUK105-50SP
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
配置 Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 26 A 26 A 26 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 75 W 75 W 75 W
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1 -
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