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GM71CS4260CLJ-60

产品描述Fast Page DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40,
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文件大小1017KB,共22页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GM71CS4260CLJ-60概述

Fast Page DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40,

GM71CS4260CLJ-60规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J40
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ40,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
自我刷新YES
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

GM71CS4260CLJ-60相似产品对比

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描述 Fast Page DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, Fast Page DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, Fast Page DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO40, Fast Page DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, Fast Page DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, Fast Page DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO40,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 60 ns 60 ns 80 ns 70 ns 70 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J40 R-PDSO-J40 R-PDSO-J40 R-PDSO-J40 R-PDSO-J40 R-PDSO-J40
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 40 40 40 40 40 40
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX16 256KX16 256KX16 256KX16 256KX16 256KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ40,.44 SOJ40,.44 SOJ40,.44 SOJ40,.44 SOJ40,.44 SOJ40,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512 512 512
自我刷新 YES NO NO NO YES YES
最大待机电流 0.0002 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.0002 A 0.0002 A
最大压摆率 0.13 mA 0.13 mA 0.11 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.11 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 - - LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd
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