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MJ11030.MOD

产品描述Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小12KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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MJ11030.MOD概述

Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

MJ11030.MOD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)50 A
集电极-发射极最大电压90 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)1000
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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MJ11030
Dimensions in mm (inches).
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
Bipolar NPN Device in a
Hermetically sealed TO3
Metal Package.
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
1.47 (0.058)
1.60 (0.063)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
3
(case)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
TO3 (TO204AE)
PINOUTS
1 – Base
2 – Emitter
Case - Collector
Parameter
V
CEO
*
I
C(CONT)
h
FE
f
t
P
D
Test Conditions
22.23
(0.875)
max.
Min.
Typ.
Max.
90
50
Units
V
A
-
Hz
@ 5.0/25 (V
CE
/ I
C
)
1000
18000
300
W
* Maximum Working Voltage
This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact
sales@semelab.co.uk.
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Generated
1-Aug-02

MJ11030.MOD相似产品对比

MJ11030.MOD MJ11030 MJ11030.MODR1 MJ11030R1
描述 Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 符合
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 50 A 50 A 50 A 50 A
集电极-发射极最大电压 90 V 90 V 90 V 90 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 1000 1000 1000 1000
JEDEC-95代码 TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1
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