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MRF5811LT3

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CASE 318A-05, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小292KB,共8页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF5811LT3概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CASE 318A-05, 4 PIN

MRF5811LT3规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.2 A
基于收集器的最大容量2 pF
集电极-发射极最大电压18 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.71 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)5000 MHz
Base Number Matches1
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