Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> TVR1GPP

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TVR1GPP: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小94KB，共2页; 制造商Gulf Semiconductor; 官网地址http://www.gulfsemi.com/

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TVR1GPP概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

TVR1GPP规格参数

参数名称	属性值
包装说明	PLASTIC, DO-41, 2 PIN
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-204AL
JESD-30 代码	O-PALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	400 V
最大反向恢复时间	0.15 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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TVR1GPP

GLASS PASSIVATED

FAST RECOVERY RECTIFIER

VOLTAGE: 400V

CURRENT: 1.0A

FEATURE

Molded case feature for auto insertion

High current capability

Low leakage current

Fast switching capability

High temperature soldering guaranteed

250° /10sec/0.375" lead length at 5 lbs tension

Glass Passivated chip

DO - 41\DO- 204AL

MECHANICAL DATA

Terminal: Plated axial leads solderable per

MIL-STD 202E, method 208C

Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame

Retardant Epoxy

Polarity: color band denotes cathode

Mounting position: any

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25° unless otherwise stated)

SYMBOL

TVR1GPP

units

µA

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified

Current 3/8

lead length at Ta =55

°C

Peak Forward Surge Current 8.3ms single

Half sine-wave superimposed on rated load

Maximum Instantaneous Forward Voltage at

Rated forward current

Maximum DC Reverse Current

At rated DC blocking voltage

Typical Junction Capacitance

Ta =25

°C

Ta =100

°C

(Note 1)

Vrrm

Vrms

Vdc

If(av)

Ifsm

Trr

Tstg, Tj

400

280

400

1.0

30.0

1.3

5.0

50.0

15.0

150

-55 to +150

Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)

Storage and Operating Junction Temperature

°C

Note:

1. Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0Vdc

2. Test Condition If

=0.5A,

Ir =1.0A, Irr =0.25A

Rev.1

www.gulfsemi.com

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