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BFT53G4

产品描述1000mA, 35V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-18, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小11KB,共1页
制造商SEMELAB
标准  
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BFT53G4概述

1000mA, 35V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-18, 3 PIN

BFT53G4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码BCY
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压35 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-206AA
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e4
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层GOLD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)60 MHz
Base Number Matches1

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BFT53
Dimensions in mm (inches).
5.84 (0.230)
5.31 (0.209)
4.95 (0.195)
4.52 (0.178)
Bipolar NPN Device in a
Hermetically sealed TO18
Metal Package.
Bipolar NPN Device.
V
CEO
= 35V
0.48 (0.019)
0.41 (0.016)
dia.
I
C
= 1A
All Semelab hermetically sealed products
can be processed in accordance with the
requirements of BS, CECC and JAN,
JANTX, JANTXV and JANS specifications
3
2
1
2.54 (0.100)
Nom.
TO18 (TO206AA)
PINOUTS
1 – Emitter
2 – Base
3 – Collector
Parameter
V
CEO
*
I
C(CONT)
h
FE
f
t
P
D
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
35
1
Units
V
A
-
@ 6/1m (V
CE
/ I
C
)
10
60M
0.36
Hz
W
* Maximum Working Voltage
This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact
sales@semelab.co.uk.
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
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2-Aug-02

BFT53G4相似产品对比

BFT53G4
描述 1000mA, 35V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-18, 3 PIN
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
零件包装代码 BCY
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 35 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10
JEDEC-95代码 TO-206AA
JESD-30 代码 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e4
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 GOLD
端子形式 WIRE
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 60 MHz
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