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NE76100

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-5
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小51KB,共8页
制造商NEC(日电)
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NE76100概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-5

NE76100规格参数

参数名称属性值
包装说明DIE-5
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
最小漏源击穿电压5 V
最大漏极电流 (ID)0.1 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带X BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N5
元件数量1
端子数量5
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)12 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

NE76100相似产品对比

NE76100 NE76100N NE76100M
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-5 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-5 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-5
包装说明 DIE-5 DIE-5 DIE-5
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 LOW NOISE, HIGH RELIABILITY LOW NOISE, HIGH RELIABILITY LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 5 V 5 V 5 V
最大漏极电流 (ID) 0.1 A 0.06 A 0.1 A
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最高频带 X BAND X BAND X BAND
JESD-30 代码 R-XUUC-N5 R-XUUC-N5 R-XUUC-N5
元件数量 1 1 1
端子数量 5 5 5
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER UPPER
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches 1 1 1

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