NESG220033-T1B-A,NESG220033-T1B-A pdf中文资料,NESG220033-T1B-A引脚图,NESG220033-T1B-A电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NESG220033-T1B-A

NESG220033-T1B-A: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEAD FREE, MINIMOLD PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小55KB，共5页; 制造商NEC(日电)

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NESG220033-T1B-A概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEAD FREE, MINIMOLD PACKAGE-3

NESG220033-T1B-A规格参数

参数名称	属性值
包装说明	LEAD FREE, MINIMOLD PACKAGE-3
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.2 A
基于收集器的最大容量	0.9 pF
配置	SINGLE
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	12500 MHz
Base Number Matches	1

NESG220033-T1B-A相似产品对比

	NESG220033-T1B-A	NESG220033-FB-A	NESG220033-T1BFB-A	NESG220033-A
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEAD FREE, MINIMOLD PACKAGE-3	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEAD FREE, MINIMOLD PACKAGE-3	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEAD FREE, MINIMOLD PACKAGE-3	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEAD FREE, MINIMOLD PACKAGE-3
包装说明	LEAD FREE, MINIMOLD PACKAGE-3	LEAD FREE, MINIMOLD PACKAGE-3	LEAD FREE, MINIMOLD PACKAGE-3	LEAD FREE, MINIMOLD PACKAGE-3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A
基于收集器的最大容量	0.9 pF	0.9 pF	0.9 pF	0.9 pF
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	12500 MHz	12500 MHz	12500 MHz	12500 MHz
厂商名称	-	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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