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MJF18002

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小383KB,共8页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MJF18002概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

MJF18002规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)2 A
基于收集器的最大容量60 pF
集电极-发射极最大电压450 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)6
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)13 MHz
最大关闭时间(toff)2500 ns
最大开启时间(吨)150 ns
VCEsat-Max0.5 V
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