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MRF880

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小117KB,共1页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF880概述

RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

MRF880规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压28 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)30
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F4
元件数量2
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值140 W
最小功率增益 (Gp)8.5 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

MRF880相似产品对比

MRF880 TP3008
描述 RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 15 A 1 A
配置 COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 15
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F4 R-CDFM-F6
元件数量 2 1
端子数量 4 6
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 140 W 35 W
最小功率增益 (Gp) 8.5 dB 11.5 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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