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S-LMBD2837LT1G

产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 75V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小129KB,共3页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
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S-LMBD2837LT1G概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 75V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

S-LMBD2837LT1G规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.225 W
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Monolithic Dual Switching Diodes
FEATURE
We declare that the material of product compliance with
RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101
Qualified and PPAP Capable.
LMBD2837LT1G
S-LMBD2837LT1G
LMBD2838LT1G
S-LMBD2838LT1G
3
ORDERING INFORMATION
Device
LMBD2837LT1G
LMBD2837LT3G
LMBD2838LT1G
LMBD2838LT3G
Rating
Peak Reverse Voltage
D.C Reverse Voltage
Peak Forward Current
Average Rectified Current
Marking
A5
A5
MA6
MA6
Shipping
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
Symbol
V
RM
V
R
I
FM
I
O
Value
75
30
50
450
300
150
100
Unit
Vdc
Vdc
mAdc
mAdc
3
CATHODE
2
ANODE
1
2
MAXIMUM RATINGS(EACH DIODE)
SOT– 23
LMBD2837LT1G
LMBD2838LT1G
ANODE
1
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR– 5 Board
(1)
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,
(2)
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
Symbol
P
D
Max
225
1.8
556
300
2.4
R
θ
JA
T
J
, T
stg
417
–55 to +150
Unit
mW
mW/°C
°C/W
mW
mW/°C
°C/W
°C
R
θ
JA
P
D
DEVICE MARKING
LMBD2837LT1G = A5; LMBD283 8T1G = MA6
L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted) ( EACH DIODE )
Characteristic
Symbol
Min
35
75
Max
µAdc
0.1
0.1
C
T
V
F
4.0
1.0
1.0
1.2
4.0
pF
Vdc
Unit
Vdc
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage(I
(BR)
= 100
µ
Adc) LMBD2837LT1G V
(BR)
LMBD2838LT1G
Reverse Voltage Leakage Current
(V
R
= 30 Vdc)
(V
R
= 50 Vdc)
Diode Capacitance
(V
R
= 0 V, f = 1.0 MHz)
Forward Voltage(I
F
= 10 mAdc)
I
R
LMBD2837LT1G
LMBD2838LT1G
(I
F
= 50 mAdc)
(I
F
= 100 mAdc)
Reverse Recovery Time(I
F
=I
R
=10mAdc,I
R(REC)
=1.0mAdc)(Figure 1) t
rr
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
ns
Rev.O 1/3

S-LMBD2837LT1G相似产品对比

S-LMBD2837LT1G S-LMBD2838LT1G
描述 Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 75V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 75V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 2 2
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 0.1 A 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.225 W 0.225 W
参考标准 AEC-Q101 AEC-Q101
最大重复峰值反向电压 75 V 75 V
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1

 
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