EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| 其他特性 | PAGE WRITE; 10K ENDURANCE WRITE CYCLES; DATA RETENTION=100 YEARS |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | NO |
| 数据保留时间-最小值 | 100 |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 8KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 页面大小 | 32 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.048 mm |
| 最大待机电流 | 0.0005 A |
| 最大压摆率 | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | YES |
| 宽度 | 11.43 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| X88C64EM | X88C64DI | X88C64EI | X88C64EMB | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, CERDIP-24 | EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 | HERMETIC SEALED, CERDIP-24 | QCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 120 ns | 120 ns | 120 ns | 120 ns |
| 其他特性 | PAGE WRITE; 10K ENDURANCE WRITE CYCLES; DATA RETENTION=100 YEARS | PAGE WRITE | PAGE WRITE; 10K ENDURANCE WRITE CYCLES; DATA RETENTION=100 YEARS | PAGE WRITE; 10K ENDURANCE WRITE CYCLES; DATA RETENTION=100 YEARS |
| 命令用户界面 | NO | NO | NO | NO |
| 数据轮询 | NO | NO | NO | NO |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 | R-GDIP-T24 | R-CQCC-N32 | R-CQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm | 32.07 mm | 13.97 mm | 13.97 mm |
| 内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 24 | 32 | 32 |
| 字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | 85 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C | -40 °C | -55 °C |
| 组织 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN | DIP | QCCN | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 | DIP24,.6 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 页面大小 | 32 words | 32 words | 32 words | 32 words |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 编程电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.048 mm | 5.72 mm | 3.048 mm | 3.048 mm |
| 最大待机电流 | 0.0005 A | 0.0005 A | 0.0005 A | 0.0005 A |
| 最大压摆率 | 0.06 mA | 0.06 mA | 0.06 mA | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | QUAD | QUAD |
| 切换位 | YES | YES | YES | YES |
| 宽度 | 11.43 mm | 15.24 mm | 11.43 mm | 11.43 mm |
| 数据保留时间-最小值 | 100 | - | 100 | 100 |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles | - | 10000 Write/Erase Cycles | 10000 Write/Erase Cycles |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 厂商名称 | - | Xicor Inc | Xicor Inc | Xicor Inc |
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