EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CPGA28, CERAMIC, PGA-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | PGA, PGA(UNSPEC) |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| 其他特性 | 100000 ENDURANCE WRITE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 数据保留时间-最小值 | 100 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-CPGA-P28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 16.51 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | PGA |
| 封装等效代码 | PGA(UNSPEC) |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 页面大小 | 64 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.62 mm |
| 最大待机电流 | 0.0005 A |
| 最大压摆率 | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | PERPENDICULAR |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | YES |
| 宽度 | 14 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| Base Number Matches | 1 |
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