电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MMBT5551LT3

产品描述600mA, 140V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小125KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MMBT5551LT3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
MMBT5551LT3 - - 点击查看 点击购买

MMBT5551LT3概述

600mA, 140V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

MMBT5551LT3规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压140 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.225 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.2 V
Base Number Matches1

MMBT5551LT3相似产品对比

MMBT5551LT3 MMBT5550LT3
描述 600mA, 140V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A
集电极-发射极最大电压 140 V 140 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 20
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 0.225 W 0.225 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
VCEsat-Max 0.2 V 0.25 V

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2279  2569  2870  1046  2355  44  36  11  18  17 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved