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74LV30N

产品描述NAND Gate, CMOS, PDIP14,
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小390KB,共9页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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74LV30N概述

NAND Gate, CMOS, PDIP14,

74LV30N规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-PDIP-T14
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.012 A
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup16 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

74LV30N相似产品对比

74LV30N 74LV30DB 74LV30PW
描述 NAND Gate, CMOS, PDIP14, NAND Gate, CMOS, PDSO14, NAND Gate, CMOS, PDSO14,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP14,.3 SSOP, SSOP14,.3 TSSOP, TSSOP14,.25
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
JESD-30 代码 R-PDIP-T14 R-PDSO-G14 R-PDSO-G14
JESD-609代码 e0 e0 e0
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.012 A 0.012 A 0.012 A
端子数量 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SSOP TSSOP
封装等效代码 DIP14,.3 SSOP14,.3 TSSOP14,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 16 ns 16 ns 16 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO NO
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子节距 2.54 mm 0.635 mm 0.635 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 -
厂商名称 - Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
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