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BFC63

产品描述Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小69KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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BFC63概述

Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

BFC63规格参数

参数名称属性值
包装说明TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)6.5 A
最大漏源导通电阻1.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)26 A
认证状态Not Qualified
参考标准CECC
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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