电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

US1J

产品描述Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 600V; IAV MAX (A): 1A; VFM MAX (V): 1.7V; @ IF (A): 1A; IFSM MAX (A): 30A; IR MAX (UA): 10uA; @VR (V): 600V; TRR MAX (NS): 75ns; Package: SMA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小229KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

US1J在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
US1J - - 点击查看 点击购买

US1J概述

Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 600V; IAV MAX (A): 1A; VFM MAX (V): 1.7V; @ IF (A): 1A; IFSM MAX (A): 30A; IR MAX (UA): 10uA; @VR (V): 600V; TRR MAX (NS): 75ns; Package: SMA

US1J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SMA
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装YES
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
US A - - - US M(SMAE)
1
1
REVERSE VOLTAGE: 50 - 1000 V
FORWARD CURRENT: 1.0 A
SURFACE MOUNT DIODES
Plastic package has underwriters laboratories
vvvvvflam
mability classification 94V-0
For surface mount applications
Low profile package
Easy pick and place
Ultrafast recovery times for high efficiency
Low forward voltage,low power loss
Built-in strain relief,ideal for automated placement
SMAE
4.3± 0.3
1.5± 0.2
5.
0.
3
2.2± 0.2
High temperature soldering:
250 o C/10 seconds on terminals
Case:JEDEC SMA,molded plastic body over
passivated chip
Term inals:Solder Plated, solderable per MIL-STD-750,
1111Method
2026
Polarity: Color band denotes cathode end
0.203MAX
MECHANICAL DATA
1.2± 0.4
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient tem perature unless otherwise specified
2.6± 0.2
0.2± 0.05
US1A
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current at
T
L
=110
O
C
Peak forw ard surge current 8.3ms single half-
sine-w ave superimposed on rated load(JEDEC
Method)
Maximum instantaneous forward voltage at1.0A
Maximum DC reverse current
at rated DC blockjing voltage
@T
A
=25
o
C
@T
A
=125 C
o
US1B
100
70
100
US1D
200
140
200
US1G
400
280
400
1.0
30.0
US1J
600
420
600
US1K
800
560
800
US1M
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RWS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
T
STG
50
35
50
1.0
5.0
100.0
50
20
55
20
-55------- +150
-55------- +150
1.7
V
μΑ
Maximum reverse recovery time at I
F
=0.5A
I
R
=1.0A I
rr
=0.25A
Typical junction capacitance at 4.0V,1MH
Z
Maximum thermal resistance (NOTE1)
Operating temperature range
Storage temperature range
75
ns
pF
o
15
C/W
o
o
C
C
NOTE: 1.P.C.B.mounted on 0.2X0.2"(5.0X5.0mm) copper pad area
www.galaxycn.com
Document Number 0280006E
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

US1J相似产品对比

US1J US1M US1K US1B US1A
描述 Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 600V; IAV MAX (A): 1A; VFM MAX (V): 1.7V; @ IF (A): 1A; IFSM MAX (A): 30A; IR MAX (UA): 10uA; @VR (V): 600V; TRR MAX (NS): 75ns; Package: SMA Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 1000V; IAV MAX (A): 1A; VFM MAX (V): 1.7V; @ IF (A): 1A; IFSM MAX (A): 30A; IR MAX (UA): 10uA; @VR (V): 1000V; TRR MAX (NS): 75ns; Package: SMA Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 800V; IAV MAX (A): 1A; VFM MAX (V): 1.7V; @ IF (A): 1A; IFSM MAX (A): 30A; IR MAX (UA): 10uA; @VR (V): 800V; TRR MAX (NS): 75ns; Package: SMA Surface Mount Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 100V, 1A, 1V, 1A, 30A Surface Mount Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 50V, 1A, 1V, 1A, 30A
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SMA SMA SMA SMA SMA
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1 V 1 V
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A
元件数量 1 1 1 1 1
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
最大重复峰值反向电压 600 V 1000 V 800 V 100 V 50 V
最大反向恢复时间 0.075 µs 0.075 µs 0.075 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 YES YES YES YES YES
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 150
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
Base Number Matches 1 1 1 - -
看完热闹看门道
2003版,2008版,2013版,2017版总算都看完了 385644 ...
PowerAnts 聊聊、笑笑、闹闹
基于DSP 的数字图像增强技术
 一、基本原理   图像增强是指按特定的需要突出一幅图像中的某些信息,同时削弱或去除某些不需要的 信息,它是一种将原来不清晰的图像变得清晰或强调某些感兴趣的特征,抑制不感兴趣的特 征 ......
fish001 DSP 与 ARM 处理器
EDA实验与实践教程光盘资料
急需EDA实验与实践光盘资料,哪位大侠有啊,771498705@qq.com ,不胜感激...
ole007 FPGA/CPLD
键盘接口设计
键盘接口设计 摘要:本文主要介绍了键盘的工作原理和六种键盘接口电路的结构及其按键的识别方法,可以满足各种应用场合对于键盘的要求。 关键词:独立式 行列式 阶梯式 ADC Pin I/O Pin和AD ......
speedUp 单片机
EEWORLD大学堂----看德国人发明的自动做饭机怎么做出中餐
看德国人发明的自动做饭机怎么做出中餐:EE大学堂更多精彩创客视频 https://training.eeworld.com.cn/showopencourses?lessonid=6942 ...
抛砖引玉 综合技术交流
本周精彩博文分享
直接成像数字曝光技术“打印”创新未来 262772 自18世纪在德国被发明以来,被称为“数字曝光”的打印方法经历了一段很长的发展历程。今天,数字曝光可以在多种表面上打印文字和图片,包括书 ......
橙色凯 TI技术论坛

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2129  656  2185  1431  2653  35  58  50  39  4 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved