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74AHCT132BQ

产品描述NAND Gate, CMOS, PQCC14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小117KB,共20页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
标准
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74AHCT132BQ概述

NAND Gate, CMOS, PQCC14

74AHCT132BQ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明QCCN, LCC14,.1X.12,20
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-PQCC-N14
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.008 A
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCN
封装等效代码LCC14,.1X.12,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
包装方法TAPE AND REEL
电源5 V
最大电源电流(ICC)0.04 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup10 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器YES
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
Base Number Matches1

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74AHC132; 74AHCT132
Quad 2-input NAND Schmitt trigger
Rev. 04 — 7 February 2005
Product data sheet
1. General description
The 74AHC132; 74AHCT132 is a high-speed Si-gate CMOS device and is pin compatible
with Low-power Schottky TTL (LSTTL). The device is specified in compliance with JEDEC
standard No. 7A.
The 74AHC132; 74AHCT132 contains four 2-input NAND gates which accept standard
input signals. They are capable of transforming slowly changing input signals into sharply
defined, jitter free output signals.
The gate switches at different points for positive-going and negative-going signals. The
difference between the positive voltage V
T+
and the negative V
T−
is defined as the
hysteresis voltage V
H
.
2. Features
s
s
s
s
s
Balanced propagation delays
Inputs accepts voltages higher than V
CC
For 74AHC132 only: operates with CMOS input levels
For 74AHCT132 only: operates with TTL input levels
ESD protection:
x
HBM EIA/JESD22-A114-B exceeds 2000 V
x
MM EIA/JESD22-A115-A exceeds 200 V
x
CDM EIA/JESD22-C101 exceeds 1000 V
s
Specified from
−40 °C
to +85
°C
and from
−40 °C
to +125
°C
3. Quick reference data
Table 1:
Quick reference data
GND = 0 V; T
amb
= 25
°
C; t
r
= t
f
3.0 ns.
Symbol Parameter
Type 74AHC132
t
PHL
,
t
PLH
C
I
C
O
C
PD
propagation delay
nA to nY
input capacitance
output capacitance
power dissipation
capacitance
C
L
= 50 pF; f = 1 MHz
[1] [2]
Conditions
C
L
= 15 pF; V
CC
= 5 V
V
I
= V
CC
or GND
Min
-
-
-
-
Typ
3.3
3.0
4.0
11
Max
-
-
-
-
Unit
ns
pF
pF
pF

74AHCT132BQ相似产品对比

74AHCT132BQ 74AHC132BQ
描述 NAND Gate, CMOS, PQCC14 NAND Gate, CMOS, PQCC14
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 QCCN, LCC14,.1X.12,20 QCCN, LCC14,.1X.12,20
Reach Compliance Code unknown unknown
JESD-30 代码 R-PQCC-N14 R-PQCC-N14
负载电容(CL) 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.008 A 0.008 A
端子数量 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCN QCCN
封装等效代码 LCC14,.1X.12,20 LCC14,.1X.12,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER
包装方法 TAPE AND REEL TAPE AND REEL
电源 5 V 2/5.5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 10 ns 12.5 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 YES YES
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD
Base Number Matches 1 1

 
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