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SB140S

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DIE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小45KB,共1页
制造商BCD Semi(Diodes)
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SB140S概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DIE-2

SB140S规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIE
包装说明R-XUUC-N1
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.45 V
JESD-30 代码R-XUUC-N1
JESD-609代码e2
最大非重复峰值正向电流52 A
元件数量1
端子数量1
最高工作温度125 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层TIN SILVER NICKEL
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
Base Number Matches1

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SB140S
SCHOTTKY DIE SPECIFICATION
General Description:
40 V
1 A ( Standard
□Low)
VF,
TYPE: SB140S
( Single
□Dual)
Anode
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DC Blocking Voltage @ IR=1mA
Average Rectified Forward Current
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 1 Ampere, Ta=25℃
Reverse current
@ VR= 43 Volt, Ta=25℃
MAXIMUM RATINGS
Nonrepetitive Peak Surge Current
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
SYM
VRRM
IFAV
Spec. Limit
40
1
UNIT
Volt
Amp
VF MAX
0.520
Volt
IR MAX
0.100
mA
IFSM
Tj
TSTG
32
125
-50 to +150
Amp
Specifications apply to die only. Actual performance may degrade when assembled.
We do not guarantee device performance after assembly.
Data sheet information is subjected to change without notice.
DICE OUTLINE DRAWING
DIM
A
B
C
B
ITEM
Die Size
Top Metal Pad Size
Thickness (Min)
Die
Thickness (Max)
Thickness (Min)
Wafer
Thickness (Max)
A
µm
762
678
280
300
190
210
Mil
30.00
26.69
11.02
11.81
7.48
8.27
PS:
Top-side Metal
S
i
O
2
Passivation
(1)Cutting street width is around 16µm (0.62mil).
(2)Both of top-side and back-side metals are Ti/Ni/Ag.
C
P+ Guard Ring
Back-side Metal

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SB140S
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DIE-2
零件包装代码 DIE
包装说明 R-XUUC-N1
针数 2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.45 V
JESD-30 代码 R-XUUC-N1
JESD-609代码 e2
最大非重复峰值正向电流 52 A
元件数量 1
端子数量 1
最高工作温度 125 °C
最大输出电流 1 A
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP
最大重复峰值反向电压 40 V
表面贴装 YES
技术 SCHOTTKY
端子面层 TIN SILVER NICKEL
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
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