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SB1060FCT

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB,3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小529KB,共2页
制造商FRONTIER
官网地址http://www.frontierusa.com/
标准
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SB1060FCT概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB,3 PIN

SB1060FCT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.65 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流500 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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SB1040(F)CT THRU SB1065(F)CT SPECIFICATION
Rev. A
10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
PRODUCT FEATURES
1.
2.
3.
4.
5.
6.
FLAMMABILITY CLASSIFICATION 94V-0
EXTREMELY LOW V
F
LOW STORED CHARGE
MAJORITY CARRIER CONDUCTION
LOW POWER LOSS/HIGH EFFICIENCY
CASE: TRANSFER MOLDED
TO-220AB FOR SB10xxCT
ITO-220AB FOR SB10xxFCT
DIMENSIONS IN INCHES AND (MILLIMETERS)
LEADS: SOLDERABILITY PER MIL-STD-202 METHOD 208
WEIGHT: 2.15 GRAMS (TO-220AB)
1.55GRAMS (ITO-220AB)
RoHS COMPLIANT AND HALOGEN FREE
Fig 1. TO-220AB FOR SB10xxCT
7.
8.
9.
10
Fig 2. ITO-220AB FOR SB10xxFCT
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS (T
A
=25°C UNLESS OTHERWISE NOTED ) AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
RATING
SYMBOL
V
I
O
MAXIMUM AVERAGE FORWARD RECTIFIED CURRENT, SEE FIG.1
10 PER DEVICE (5 PER LEG)
A
n
PEAK FORWARD SURGE CURRENT, 8.3ms SINGLE HALF
I
FSM
L
125
SINE-WAVE SUPERIMPOSED ON RATED LOAD
U
E
Rθj
C
TYPICAL THERMAL RESISTANCE
2.2 (4.0 FOR ≥60V DEVICE)
STORAGE TEMPERATURE RANGE
T
STG
- 65 TO +175
OPERATING TEMPERATURE RANGE
T
J
- 55 TO +125
MAXIMUM REVERSE CURRENT AT 25°C PER LEG (NOTE 1)
I
R
0.5
MAXIMUM REVERSE CURRENT AT 125°C PER LEG (NOTE 1)
I
R
20
ISOLATION VOLTAGE FROM TERMINAL TO HEATSINK T=1MIN
MAX RECURRENT PK REVERSE
VOLTAGE/DC BLOCKING V
RRM
/V
R
(V)
40
45
60
65
1500 (FOR SB10xxFCT ONLY)
UNITS
A
A
°C/W
°C
°C
mA
mA
VAC
PART NUMBER
SB1040(F)CT
SB1045(F)CT
SB1060(F)CT
SB1065(F)CT
MAX V
RMS
(V)
28
31.5
42
45.5
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE V
F
@ I
F
=5A
@25°C
@125°C
0.55V
0.50V
0.55V
0.50V
0.65V
0.60V
0.65V
0.60V
NOTE︰ 1. PULSE TEST: 300μS PULSE WIDTH, 1% DUTY CYCLE.
2. CURRENT RATING IS BASED ON SINGLE PHASE, 1/2 WAVE, 60HZ, RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD. FOR CAPACITIVE LOAD,
DERATE CURRENT BY 20%.
Frontier Electronics Corp.
®
http://www.frontierusa.com
Page
1
of
2
667 E. Cochran St., Simi Valley, CA 93065
Phone: 1-805-522-9998, Fax: 1-805-522-9989

SB1060FCT相似产品对比

SB1060FCT SB1045CT SB1060CT
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB,3 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.65 V 0.55 V 0.65 V
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A 125 A
元件数量 2 2 2
相数 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 5 A 5 A 5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 60 V 45 V 60 V
最大反向电流 500 µA 500 µA 500 µA
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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