Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UZXMN3A02X8TA

UZXMN3A02X8TA: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-187AA, SOIC-8; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小449KB，共7页; 制造商Zetex Semiconductors; 官网地址http://www.zetex.com/; 标准

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UZXMN3A02X8TA概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-187AA, SOIC-8

UZXMN3A02X8TA规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	SOIC-8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	5.3 A
最大漏源导通电阻	0.025 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	MO-187AA
JESD-30 代码	S-PDSO-G8
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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ZXMN3A02X8

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

(BR)DSS

=30V; R

DS(ON)

=0.025

=6.7A

DESCRIPTION

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure

that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This

makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management

applications.

FEATURES

•

Low on-resistance

•

Fast switching speed

•

Low threshold

•

Low gate drive

•

Low profile SOIC package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

•

Power Management Functions

•

Disconnect switches

•

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TC

REEL

SIZE

7”

13”

TAPE

WIDTH

12mm

QUANTITY

PER REEL

1000 units

4000 units

DEVICE MARKING

•

ZXMN

3A02

Top View

ISSUE 1 - JANUARY 2002

UZXMN3A02X8TA相似产品对比

	UZXMN3A02X8TA	UZXMN3A02X8TC
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-187AA, SOIC-8	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-187AA, SOIC-8
是否Rohs认证	符合	符合
包装说明	SOIC-8	SOIC-8
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	5.3 A	5.3 A
最大漏源导通电阻	0.025 Ω	0.025 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	MO-187AA	MO-187AA
JESD-30 代码	S-PDSO-G8	S-PDSO-G8
JESD-609代码	e3	e3
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	8	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

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