MU9C1640-55DC概述

Content Addressable SRAM, 1KX64, 85ns, CMOS, PQCC44

MU9C1640-55DC规格参数

	MU9C1640-55DC	MU9C1640-40DC
描述	Content Addressable SRAM, 1KX64, 85ns, CMOS, PQCC44	Content Addressable SRAM, 1KX64, 75ns, CMOS, PQCC44
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
包装说明	QCCJ, LDCC44,.7SQ	QCCJ, LDCC44,.7SQ
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
最长访问时间	85 ns	75 ns
其他特性	BIT MASKING; CACHECAM	BIT MASKING; CACHECAM
JESD-30 代码	S-PQCC-J44	S-PQCC-J44
JESD-609代码	e0	e0
内存密度	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	CONTENT ADDRESSABLE SRAM	CONTENT ADDRESSABLE SRAM
内存宽度	64	64
湿度敏感等级	3	3
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	44	44
字数	1024 words	1024 words
字数代码	1000	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	1KX64	1KX64
输出特性	3-STATE	3-STATE
可输出	NO	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	QCCJ
封装等效代码	LDCC44,.7SQ	LDCC44,.7SQ
封装形状	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.2 A	0.2 A
最大压摆率	0.2 mA	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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