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MDM14001J-10

产品描述Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, CDSO20
产品类别存储    存储   
文件大小525KB,共12页
制造商MOSAIC
官网地址http://www.mosaicsemi.com/
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MDM14001J-10概述

Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, CDSO20

MDM14001J-10规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式NIBBLE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS/CBR/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-CDSO-J20
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NIBBLE MODE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子位置DUAL
Base Number Matches1
CRC模块
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