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SML50EUZ03JDR3

产品描述Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 50A, 300V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小45KB,共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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SML50EUZ03JDR3概述

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 50A, 300V V(RRM), Silicon,

SML50EUZ03JDR3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, HIGH RELIABILITY
应用ULTRA FAST SOFT RECOVERY
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PUFM-X4
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流500 A
元件数量2
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流50 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向恢复时间0.055 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层TIN
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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SML50EUZ03JD
1- Cathode 2
2- Anode 2
Ultrafast Recovery Diode
300 Volt, 2 x 50Amp
TECHNOLOGY
The planar passivated and enhanced ultrafast recovery
diode features a triple charge control action utilising
Semelab’s Graded Buffer Zone technology combined with
SML
50EUZ03JD
3- Cathode 1
4- Anode 1
low emitter efficiency and local lifetime control techniques.
Parallel
1
2
BENEFITS
• Very fast recovery for low switching losses
• Ultra soft recovery with low EMI generation
• High dynamic ruggedness under all conditions
• Low temperature dependency
• Low on-state losses with positive temperature coefficient
• Stable blocking voltage and low leakage current
• Avalanche rated for high reliability circuit operation
3
4
See package outline for mechanical data and more details
SOT-227 Package
Key Parameters
V
R
V
F
I
F
t
rr
(max)
(typ)
(max)
(max)
300V
1.7V
2 x 50A
40ns
APPLICATIONS
• Freewheeling Diode for IGBTs and MOSFETs
• Uninterruptible Power Supplies UPS
• Switch Mode Power Supplies SMPS
• Inverse and Clamping Diode
• Snubber Diode
• Fast Switching Rectification
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
=
25°C unless otherwise stated)
V
RRM
V
R
I
FAV
I
FSM(surge)
I
FS(surge)
P
D
W
AVL
T
J
,T
STG
Peak Repetitive Reverse Voltage
DC Reverse Blocking Voltage
Average Forward Current @Tc = 85°C
Repetitive Forward Current
Non-Repetitive Forward Current
Power Dissipation @Tc = 85°C
Avalanche Energy
Operating & Storage Junction Temperature
300V
300V
50A
125A
500A
90W
30mJ
-55 to 150°C
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is
believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in
its use. Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Document Number 2411
Issue 1

SML50EUZ03JDR3相似产品对比

SML50EUZ03JDR3
描述 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 50A, 300V V(RRM), Silicon,
是否Rohs认证 符合
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, HIGH RELIABILITY
应用 ULTRA FAST SOFT RECOVERY
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PUFM-X4
JESD-609代码 e3
最大非重复峰值正向电流 500 A
元件数量 2
相数 1
端子数量 4
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
最大输出电流 50 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified
最大重复峰值反向电压 300 V
最大反向恢复时间 0.055 µs
表面贴装 NO
技术 AVALANCHE
端子面层 TIN
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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