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SML40EUZ06JDR3

产品描述40A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小30KB,共2页
制造商SEMELAB
标准  
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SML40EUZ06JDR3概述

40A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE

SML40EUZ06JDR3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PUFM-X4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, HIGH RELIABILITY
应用ULTRA FAST SOFT RECOVERY
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PUFM-X4
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量2
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流40 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层TIN
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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SML40EUZ06JD
1- Cathode 2
2- Anode 2
Enhanced Ultrafast
Recovery Diode
600 Volt, 2 x 40 Amp
TECHNOLOGY
The planar passivated and enhanced ultrafast recovery
diode features a triple charge control action utilising
Semelab’s graded Buffer Zone technology combined with
low emitter efficiency and local lifetime control techniques.
SML
40EUZ06JD
3- Cathode 1
4- Anode 1
Parallel
1
2
BENEFITS
• Very fast recovery for low switching losses
• Ultra soft recovery with low EMI generation
3
4
• High dynamic ruggedness under all conditions
• Low temperature dependency
• Low on-state losses with positive temperature coefficient
• Stable blocking voltage and low leakage current
• Avalanche rated for high reliability circuit operation
See package outline for mechanical data and more details
SOT-227 Package
Key Parameters
APPLICATIONS
V
R
V
F
I
F
t
rr
(max)
(typ)
(max)
(max)
600V
2.15V
2 x 40A
40nS
• Freewheeling Diode for IGBTs and MOSFETs
• Uninterruptible Power Supplies UPS
• Switch Mode Power Supplies SMPS
• Inverse and Clamping Diode
• Snubber Diode
• Fast Switching Rectification
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
=
25°C unless otherwise stated)
V
RRM
V
R
I
FAV
I
FSM(surge)
I
FS(surge)
P
D
W
AVL
T
J
,T
STG
Peak Repetitive Reverse Voltage
DC Reverse Blocking Voltage
Average Forward Current @Tc = 85°C
Repetitive Forward Current
Non-Repetitive Forward Current(10msec pulse)
Power Dissipation @Tc = 85°C
Avalanche Energy(L=40mH)
Operating & Storage Junction Temperature
600V
600V
40A
100A
400A
90W
30mJ
- 55 to 150°C
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is
believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in
its use. Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Document Number 2414
Issue 1

SML40EUZ06JDR3相似产品对比

SML40EUZ06JDR3
描述 40A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
包装说明 R-PUFM-X4
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, HIGH RELIABILITY
应用 ULTRA FAST SOFT RECOVERY
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PUFM-X4
JESD-609代码 e3
最大非重复峰值正向电流 400 A
元件数量 2
相数 1
端子数量 4
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
最大输出电流 40 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V
最大反向恢复时间 0.05 µs
表面贴装 NO
技术 AVALANCHE
端子面层 TIN
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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