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BF966

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小145KB,共3页
制造商North American Philips Discrete Products Div
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BF966概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

BF966规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.03 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1
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