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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BYT56MGP
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BYT56MGP

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小131KB，共2页
制造商Gulf Semiconductor
官网地址http://www.gulfsemi.com/
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BYT56MGP概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

BYT56MGP规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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BYT56AGP THRU BYT56MGP
SINTERED GLASS JUNCTION
FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER
VOLTAGE:50 TO 1000V
CURRENT: 3.0A
FEATURE
High temperature metallurgically bonded construction
Sintered glass cavity free junction
Capability of meeting environmental standard of
MIL-S-19500
High temperature soldering guaranteed
350°C /10sec/0.375”lead length at 5 lbs tension
Operate at Ta
=55°C
with no thermal run away
Typical Ir<0.1µA
DO-201AD
MECHANICAL DATA
Terminal: Plated axial leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame
Retardant Epoxy
Polarity: color band denotes cathode
Mounting position: any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)
SYMBOL
BYT56
AGP
50
35
50
BYT56
BGP
100
70
100
BYT56
DGP
200
140
200
BYT56
GGP
400
280
400
3.0
125
1.4
BYT56
JGP
600
420
600
BYT56
KGP
800
560
800
BYT56
MGP
1000
700
1000
units
V
V
V
A
A
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current 3/8”lead length at Ta =55
°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
Maximum Forward Voltage at rated Forward
Current and 25
°C
Vrrm
Vrms
Vdc
If(av)
Ifsm
Vf
non-repetitive reverse avalanche energy
(I
(BR)R
=0.4A)
Maximum full load reverse current full cycle
average at 55
°C
Ambient
Maximum DC Reverse Current
Ta =25
°C
at rated DC blocking voltage
Ta =150
°C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance
(Note 2)
Typical Thermal Resistance
(Note 3)
Storage and Operating Junction Temperature
E
R
Ir(av)
Ir
Trr
Cj
R(ja)
Tstg, Tj
10
100
5.0
100
100
60
20
-65 to +175
mJ
µ
A
µ
A
µ
A
nS
pF
°C
/W
°C
Note: 1.Reverse Recovery Condition If
=0.5A,
Ir =1.0A, Irr =0.25A
2.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc
3.Thermal Resistance from Junction to Ambient at 3/8”lead length, P.C. Board Mounted
Rev.A1
www.gulfsemi.com

BYT56MGP相似产品对比

BYT56MGP BYT56AGP BYT56DGP BYT56KGP
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.4 V 1.4 V 1.4 V 1.4 V
JEDEC-95代码 DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A 125 A 125 A
元件数量 1 1 1 1
相数 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 1000 V 50 V 200 V 800 V
最大反向电流 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1 1 1

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