MRW2301概述

S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

MRW2301规格参数

参数名称	属性值
包装说明	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	DIFFUSED BALLAST RESISTORS
外壳连接	BASE
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
基于收集器的最大容量	3.5 pF
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10
最高频带	S BAND
JESD-30 代码	O-CRFM-F2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
最小功率增益 (Gp)	8 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	FLAT
端子位置	RADIAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

	MRW2301	MRW2301F
描述	S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
包装说明	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2	DISK BUTTON, O-CRDB-F2
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	DIFFUSED BALLAST RESISTORS	DIFFUSED BALLAST RESISTORS
外壳连接	BASE	BASE
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A
基于收集器的最大容量	3.5 pF	3.5 pF
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10	10
最高频带	S BAND	S BAND
JESD-30 代码	O-CRFM-F2	O-CRDB-F2
元件数量	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	200 °C	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	DISK BUTTON
极性/信道类型	NPN	NPN
最小功率增益 (Gp)	8 dB	8 dB
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	RADIAL	RADIAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ