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LM3900DR2: 产品描述QUAD OP-AMP, 4MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, SO-14; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小278KB，共10页; 制造商Motorola ( NXP ); 官网地址https://www.nxp.com

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LM3900DR2概述

QUAD OP-AMP, 4MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, SO-14

LM3900DR2规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP,
针数	14
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.2 µA
JESD-30 代码	R-PDSO-G14
长度	8.65 mm
功能数量	4
端子数量	14
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
标称压摆率	0.5 V/us
最大压摆率	14 mA
供电电压上限	32 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V
表面贴装	YES
技术	BIPOLAR
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
标称均一增益带宽	4000 kHz
最小电压增益	1200
宽度	3.9 mm
Base Number Matches	1

LM3900DR2相似产品对比

	LM3900DR2	LM3900N
描述	QUAD OP-AMP, 4MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, SO-14	QUAD OP-AMP, 4MHz BAND WIDTH, PDIP14, PLASTIC, DIP-14
零件包装代码	SOIC	DIP
包装说明	SOP,	DIP,
针数	14	14
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.2 µA	0.2 µA
JESD-30 代码	R-PDSO-G14	R-PDIP-T14
长度	8.65 mm	18.86 mm
功能数量	4	4
端子数量	14	14
最高工作温度	70 °C	70 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm	4.69 mm
标称压摆率	0.5 V/us	0.5 V/us
最大压摆率	14 mA	14 mA
供电电压上限	32 V	32 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V	15 V
表面贴装	YES	NO
技术	BIPOLAR	BIPOLAR
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL
标称均一增益带宽	4000 kHz	4000 kHz
最小电压增益	1200	1200
宽度	3.9 mm	7.62 mm
Base Number Matches	1	1

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