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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FMMTA92R
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FMMTA92R

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小70KB，共2页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
标准
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FMMTA92R概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

FMMTA92R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.33 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
Base Number Matches1

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SOT23 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 4 - MARCH 2001
✪
PARTMARKING DETAILS:
– FMMTA92 - 4E
– FMMTA92R - 8E
FMMTA92
E
C
B
COMPLEMENTARY TYPES:
–
FMMTA92 - FMMTA42
SOT23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
= 25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
FMMTA92
-300
-300
-5
-200
330
-55 to +150
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
FMMTA92
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
Emitter-Base Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off
Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Saturation
Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
Transition Frequency
Output Capacitance
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
h
FE
25
40
25
50
6
MHz
pF
MIN.
-300
-300
-5
-0.25
-0.1
-0.5
-0.9
MAX.
UNIT
V
V
V
CONDITIONS.
I
C
=-100
µ
A, I
E
=0
I
C
=-1mA, I
B
=0*
I
E
=-100
µ
A, I
C
=0
V
CB
=-200V, I
E
=0
V
CB
=-160V, I
E
=0-
V
EB
=-3V, I
E
=0
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
I
C
=-1mA, V
CE
=10V*
I
C
=-10mA, V
CE
=10V*
I
C
=-30mA,V
CE
=-10V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-20V
f=20MHz
V
CB
=-20V, f=1MHz
µ
A
µ
A
µ
A
V
V
f
T
C
obo
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
TBA

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