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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FXT549
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FXT549

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小27KB，共1页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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FXT549概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN

FXT549规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PSIP-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1

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PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 – SEPT 93
FEATURES
* 30 Volt V
CEO
* 1 Amp continuous current
* P
tot
= 1 Watt
FXT549
REFER TO ZTX549 FOR GRAPHS
B
C
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
E-Line
TO92 Compatible
VALUE
-35
-30
-5
-2
-1
1
-55 to +200
UNIT
V
V
V
A
A
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Turn-On Voltage
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
MIN.
-35
-30
-5
-0.1
-10
-0.1
-0.25
-0.50
-0.90
-0.85
70
100
80
40
100
25
200
160
130
80
-0.50
-0.75
-1.25
-1
300
MHz
pF
TYP.
MAX.
UNIT
V
V
V
µ
A
µ
A
µ
A
CONDITIONS.
I
C
=-100
µ
A, I
E
=0
I
C
=-10mA, I
B
=0*
I
E
=-100
µ
A, I
C
=0
V
CB
=-30V
V
CB
=-30V, T
amb
=100°C
V
EB
=-4V, I
C
=0
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-2A, I
B
=-200mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
IC=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-50mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V
f=100MHz
V
CB
=-10V, f=1MHz
Emitter Cut-Off Current I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE(on)
V
V
V
V
Static Forward Current h
FE
Transfer Ratio
Transition
Frequency
Output Frequency
f
T
C
obo
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
3-36

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