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S-LDAN222T1G

产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.05A, 80V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SC-89, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小254KB,共3页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
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S-LDAN222T1G概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.05A, 80V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SC-89, 3 PIN

S-LDAN222T1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-F3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.05 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.15 W
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压80 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Common Cathode Silicon
Dual Switching Diode
This Common Cathode Silicon Epitaxial Planar Dual Diode is
designed for use in ultra high speed switching applications. This
device is housed in the SC–89 package which is designed
for low
power surface mount applications, where board space is at a
premium.
LDAN222T1G
S-LDAN222T1G
Fast trr
Low C
D
Available in 8 mm Tape and Reel
We declare that the material of product
compliance with RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101
Qualified and PPAP Capable.
3
CATHODE
SC-89
1
ANODE
2
ANODE
ORDERING INFORMATION
Device
LDAN222T1G
S-LDAN222T1G
LDAN222T3G
S-LDAN222T3G
Marking
N9
N9
Shipping
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
MAXIMUM RATINGS
(TA = 25°C)
Rating
Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Forward Current
Peak Forward Current
Peak Forward Surge Current
Symbol
VR
VRM
IF
IFM
IFSM(1)
Value
80
80
100
300
2.0
Unit
Vdc
Vdc
mAdc
mAdc
Adc
THERMAL CHARACTERISTICS
Rating
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
1. t = 1
µS
Symbol
PD
TJ
Tstg
Max
150
150
–55 to +150
Unit
mW
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25°C)
Characteristic
Reverse Voltage Leakage Current
Forward Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Diode Capacitance
Reverse Recovery Time
2. trr Test Circuit on following page.
Symbol
IR
VF
VR
C
D
trr(2)
Condition
VR = 70 V
IF = 100 mA
IR = 100
µA
VR = 6.0 V, f = 1.0 MHz
IF = 5.0 mA, VR = 6.0 V, RL = 100
Ω,
Irr = 0.1 IR
Min
80
Max
0.1
1.2
3.5
4.0
Unit
µAdc
Vdc
Vdc
pF
ns
Rev.O 1/3

S-LDAN222T1G相似产品对比

S-LDAN222T1G LDAN222T1G
描述 Rectifier Diode, 2 Element, 0.05A, 80V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SC-89, 3 PIN Rectifier Diode, 2 Element, 0.05A, 80V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SC-89, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流 2 A 2 A
元件数量 2 2
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 0.05 A 0.05 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.15 W 0.15 W
最大重复峰值反向电压 80 V 80 V
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表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
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