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SG2011L

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小509KB,共7页
制造商Linfinity Microelectronics
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SG2011L概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,

SG2011L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)900
JESD-30 代码S-CQCC-N20
JESD-609代码e0
元件数量7
端子数量20
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置QUAD
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1.9 V
Base Number Matches1
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