GM72V161621ET-75,GM72V161621ET-75 pdf中文资料,GM72V161621ET-75引脚图,GM72V161621ET-75电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> GM72V161621ET-75

GM72V161621ET-75: 产品描述Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50,; 产品类别存储存储; 文件大小538KB，共12页; 制造商LG Semicon Co Ltd

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GM72V161621ET-75概述

Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50,

GM72V161621ET-75规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G50
JESD-609代码	e0
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
端子数量	50
字数	1048576 words
字数代码	1000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP
封装等效代码	TSOP50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.16 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

GM72V161621ET-75相似产品对比

	GM72V161621ET-75	0734205451	GM72V161621ELT-7	GM72V161621ELT-8	0734205452	GM72V161621ET-8	GM72V161621ET-7J	GM72V161621ET-7
描述	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50,	RF SMP Connector,	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50,	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50,	RF SMP Connector,	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50,	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50,	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最高工作温度	70 °C	165 °C	70 °C	70 °C	165 °C	70 °C	70 °C	70 °C
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	符合	不符合	不符合	不符合
最长访问时间	6 ns	-	5.5 ns	6 ns	-	6 ns	6 ns	5.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	-	142 MHz	125 MHz	-	125 MHz	100 MHz	142 MHz
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	-	1,2,4,8	1,2,4,8	-	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G50	-	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	-	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	-	e0	e0	e0
内存密度	16777216 bit	-	16777216 bit	16777216 bit	-	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	-	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	-	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	-	16	16	-	16	16	16
端子数量	50	-	50	50	-	50	50	50
字数	1048576 words	-	1048576 words	1048576 words	-	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	-	1000000	1000000	-	1000000	1000000	1000000
组织	1MX16	-	1MX16	1MX16	-	1MX16	1MX16	1MX16
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP	-	TSOP	TSOP	-	TSOP	TSOP	TSOP
封装等效代码	TSOP50,.46,32	-	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	-	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	-	4096	4096	-	4096	4096	4096
连续突发长度	1,2,4,8,FP	-	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	-	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A	-	0.001 A	0.001 A	-	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.16 mA	-	0.17 mA	0.15 mA	-	0.15 mA	0.12 mA	0.17 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	-	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	-	0.8 mm	0.8 mm	-	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	-	1	1	-	1	1	1

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