DMD5029-A,DMD5029-A pdf中文资料,DMD5029-A引脚图,DMD5029-A电路-Datasheet-电子工程世界

DMD5029-A: 产品描述2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小22KB，共2页; 制造商SEMELAB

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DMD5029-A概述

2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET

	DMD5029-A	DMD5029
描述	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MDFM-F5	FLANGE MOUNT, R-MDFM-F5
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	SOURCE	SOURCE
配置	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压	125 V	125 V
最大漏极电流 (ID)	21 A	21 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-MDFM-F5	R-MDFM-F5
元件数量	2	2
端子数量	5	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C	200 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ