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MTB15N06E

产品描述Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 418B-02, D2PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小670KB,共10页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MTB15N06E概述

Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 418B-02, D2PAK-3

MTB15N06E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)15 A
最大漏极电流 (ID)15 A
最大漏源导通电阻0.12 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

MTB15N06E相似产品对比

MTB15N06E
描述 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 418B-02, D2PAK-3
是否Rohs认证 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 15 A
最大漏极电流 (ID) 15 A
最大漏源导通电阻 0.12 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 75 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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