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MTB15N06ET4

产品描述15 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-02, D2PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小32KB,共1页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MTB15N06ET4概述

15 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-02, D2PAK-3

MTB15N06ET4规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
制造商包装代码CASE 418B-02
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)15 A
最大漏源导通电阻0.12 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

MTB15N06ET4相似产品对比

MTB15N06ET4 MTB50N06E MTB50N06ET4
描述 15 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-02, D2PAK-3 50A, 60V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-02, D2PAK-3 50 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-02, D2PAK-3
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3
制造商包装代码 CASE 418B-02 CASE 418B-02 CASE 418B-02
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 15 A 50 A 50 A
最大漏源导通电阻 0.12 Ω 0.025 Ω 0.025 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
厂商名称 - Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
ECCN代码 - EAR99 EAR99
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 50 A 50 A
JESD-609代码 - e0 e0
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 (Abs) - 2.5 W 2.5 W
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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