Dual-Port SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, CQCC84, CERAMIC, QUAD-84
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | CERAMIC, QUAD-84 |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 35 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-GQCC-J84 |
内存密度 | 131072 bit |
内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 84 |
字数 | 8192 words |
字数代码 | 8000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 8KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC84,1.2SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流 | 0.0002 A |
最小待机电流 | 2 V |
最大压摆率 | 0.3 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
Base Number Matches | 1 |
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