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MU9C4K64-12TDI

产品描述Content Addressable SRAM, 4KX64, CMOS, PQFP100
产品类别存储    存储   
文件大小592KB,共30页
制造商Music Semiconductors Inc
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MU9C4K64-12TDI概述

Content Addressable SRAM, 4KX64, CMOS, PQFP100

MU9C4K64-12TDI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型CONTENT ADDRESSABLE SRAM
内存宽度64
湿度敏感等级3
端子数量100
字数4096 words
字数代码4000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4KX64
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.35 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置QUAD
Base Number Matches1
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