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LL5819

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-213AB, GLASS, LL-41, MELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小51KB,共1页
制造商Bkc Semiconductors Inc
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LL5819概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-213AB, GLASS, LL-41, MELF-2

LL5819规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明GLASS, LL-41, MELF-2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码DO-213AB
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1

LL5819相似产品对比

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描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-213AB, GLASS, LL-41, MELF-2 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-213AB, GLASS, LL-41, MELF-2
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 GLASS, LL-41, MELF-2 GLASS, LL-41, MELF-2
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.9 V 0.88 V
JEDEC-95代码 DO-213AB DO-213AB
JESD-30 代码 O-LELF-R2 O-LELF-R2
JESD-609代码 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 25 A 25 A
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 40 V 30 V
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END
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