Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Periodische Vorwärts- und
Rückwärts-Spitzensperrspannung
Vorwärts-
Stoßspitzensperrspannung
Rückwärts-Stoßspitzenspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
TZ 310 N
Electrical properties
Maximum rated values
repetitive peak forward off-state
and reverse voltages
non-repetitive peak forward off-
state reverse voltage
non-repetitive peak voltage
RMS on-state current
average on-state current
surge current
I t-value
critical rate of rise of on-state
current
critical rate of rise of off-state
voltage
2
t
vj
= -40°C... t
vj max
t
vj
= -40°C... t
vj max
t
vj
= +25°C... t
vj max
t
c
= 85°C
t
c
= 58°C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, I
GM
= 1 A, di
G
= 1 A/µs
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe/6th letter C
6.Kennbuchstabe/6th letter F
V
DRM
, V
RRM
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I
2
t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
2000 2200 2400
2600
2000 2200 2400
2600
2100 2300 2500
2700
700
310
445
9
8
405 . 10
3
320 . 10
3
V
V
V
A
A
A
kA
kA
A
2
s
A
2
s
120 A/µs
500 V/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Vorwärts- und Rückwärts-
Sperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
forward off-state and reverse
currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 1,3 kA
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
Ω
t
vj
= 25 °C,v
D
= 6 V, R
GK
> = 10
Ω
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6, t
vj
= 25°C
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs,-di
T
/dt = 10A/µs
5.Kennbuchstabe/5th letter O
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
pro Modul/per module,
Θ
=180°
sin
pro Modul/per module, DC
pro Modul/per module
v
T
V
T(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
i
D
, i
R
t
gd
t
q
max. 2,22
1
0,86
max. 250
max.1,5
max.10
max. 5
max.0,2
max. 300
max.1500
max. 80
max.3,3
typ.300
V
V
mΩ
mA
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
µs
µs
Isolations-Prüfspannung
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
Mechanische Eigenschaften
Gehäuse, siehe Seite
Si-Element mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment für
mechanische Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
Gewicht
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
insulation test voltage
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
thermal resistance, case to
heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Mechanical properties
case, see page
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
mounting torque
terminal connection torque
weight
creepage distance
vibration resistance
V
ISOL
3
kV
R
thJC
R
thCK
t
vj max
t
c op
t
stg
max.0,0780 °C/W
max.0,0745 °C/W
max. 0,02 °C/W
125
°C
-40...+125
°C
-40...+130
°C
1
AlN
6
12
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
G
Nm
Nm
f = 50 Hz
typ.900
g
15 mm
50 m/s²
TZ 310 N
3
2
1000
400
200
t
gd
100
[µs]
40
20
10
4
2
1
0.4
10
3
10
4
10
5
0.2
0.1
0.1
10
1
V
G
[V]
6
4
3
2
b
a
b
c
d
10
0
6
4
3
2
t
vj
=+125°C
2
3 456
a
b
10
-1
10
1
10
2
2
3 456
2
3 456
2
3 456
0.2 0.4
0.6
1
2
4
6
10
20
i
G
[A]
40 60 100
TZ 310 N/1
i
G
[mA]
TZ 310 N/2
Steuerimpulsdauer / Pulse duration t
g
[ms] 10
1
0,5
0,1
________________________________________________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W]
40
80
100 150
________________________________________________________
10000
5000
4000
3000
2000
Q
r
[µAs]
1000
700
500
400
300
200
100
Bild / Fig. 1
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering
areas, v
G
= f(i
G
), v
D
= 6 V
Parameter:
a
b
c
d
________________________________________________________
Bild / Fig. 2
Zündverzug / Gate controlled delay time t
gd
= f(i
G
)
t
vj
= 25°C, di
G
/dt = i
GM
/1µs
a - äußerster Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
0.1
i
TM
=1000A
100A
50A
20A
0.08 0
Z
(th)JC
[°C/W]
0.06
Θ
0.04
0.02
Θ=
30°
60°
90°
120°
180°
1
TZ 310 N/3
2
3
4 5 6 7
10
20
30 40 50
-di/dt [A/µs]
70 100
0
10
-3
TZ 310 N/4
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t [s]
10
2
Bild / Fig. 3
Sperrverzögerungsladung / Recovery charge Q
r
= f(-di/dt)
t
vj
= t
vjmax
, v
R
≤
0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i
TM
Bild / Fig. 4
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z
(th)JC
= f(t)
0.12
0.10
Z(th)JC
0.08
[
°
C/W]
0.06
0.04
0.02
0
10
-3
TZ 310 N/5
Θ=
30
0
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
per arm for DC
Pos. n
0
Θ
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
1
2
3
0,1465
0,108
4
0,0254
0,57
5
0,0267
3
6
7
0,00194 0,00584
0,000732 0,00824
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
n
max
n=1
60
0
90
120
0
180
0
DC
0
Σ
-
R
thn
(1-e
τ
n
)
t
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t [s]
10
2
Bild / Fig. 5
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z
(th)JC
= f(t)
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