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IRFY230-QR-B

产品描述9A, 200V, 0.49ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB,共2页
制造商SEMELAB
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IRFY230-QR-B概述

9A, 200V, 0.49ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN

IRFY230-QR-B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-257AA
包装说明FLANGE MOUNT, S-PSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.49 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码S-PSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)36 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRFY230-QR-B相似产品对比

IRFY230-QR-B IRFY230R1 IRFY230-QR-BR1 IRFY230-JQR-B IRFY230-JQR-BR1
描述 9A, 200V, 0.49ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN 9A, 200V, 0.49ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN 9A, 200V, 0.49ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN 9A, 200V, 0.49ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN 9A, 200V, 0.49ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合 符合
零件包装代码 TO-257AA TO-257AA TO-257AA TO-257AA TO-257AA
包装说明 FLANGE MOUNT, S-PSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-PSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-PSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-PSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-PSFM-P3
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 9 A 9 A 9 A 9 A 9 A
最大漏源导通电阻 0.49 Ω 0.49 Ω 0.49 Ω 0.49 Ω 0.49 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-257AA TO-257AA TO-257AA TO-257AA TO-257AA
JESD-30 代码 S-PSFM-P3 S-PSFM-P3 S-PSFM-P3 S-PSFM-P3 S-PSFM-P3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 36 A 36 A 36 A 36 A 36 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 - -
JESD-609代码 - e1 e1 - e1
端子面层 - TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER - TIN SILVER COPPER
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