Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UZXM62P03E6TC

UZXM62P03E6TC: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 6 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小283KB，共7页; 制造商Zetex Semiconductors; 官网地址http://www.zetex.com/; 标准

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UZXM62P03E6TC概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 6 PIN

UZXM62P03E6TC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	SOT-23, 6 PIN
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW THRESHOLD
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V
最大漏极电流 (ID)	1.5 A
最大漏源导通电阻	0.15 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	P-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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ZXM62P03E6

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

(BR)DSS

=-30V; R

DS(ON)

=0.15

DESCRIPTION

This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilizes a unique

structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching

speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power

management applications.

=-2.6A

FEATURES

•

Low on-resistance

•

Fast switching speed

•

Low threshold

•

Low gate drive

•

SOT23-6 package

SOT23-6

APPLICATIONS

•

DC - DC converters

•

Power management functions

•

Disconnect switches

•

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

ZXM62P03E6TA

ZXM62P03E6TC

REEL SIZE

(inches)

TAPE WIDTH

(mm)

8 embossed

QUANTITY

PER REEL

3,000

10,000

Pinout

DEVICE MARKING

2P03

Top view

ISSUE 1 - OCTOBER 2005

SEMICONDUCTORS

UZXM62P03E6TC相似产品对比

	UZXM62P03E6TC	UZXM62P03E6TA
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 6 PIN	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 6 PIN
是否Rohs认证	符合	符合
包装说明	SOT-23, 6 PIN	SOT-23, 6 PIN
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V	20 V
最大漏极电流 (ID)	1.5 A	1.5 A
最大漏源导通电阻	0.15 Ω	0.15 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e3	e3
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	6	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

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