General Purpose Dual NPN Bipolar Transistor; Polarity: NPN×2; V(BR)CEO Min (V): 160V; IC (A): 0.2A; HFE Min: 80; HFE Max: 250; VCE (V): 5V; IC (mA): 10mA; VCE(SAT) (V): 0.15V; IC (mA)1: 10mA; IB (mA): 1mA; FT Min (MHz): 100 MHz; PTM Max (W): 0.2W; Package: SOT-363; package_code: SOT-363; mfr_package_code: SOT-363
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | SOT-363 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 0.6 A |
集电极-发射极最大电压 | 160 V |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
Base Number Matches | 1 |
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