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MMDT5551

产品描述General Purpose Dual NPN Bipolar Transistor; Polarity: NPN×2; V(BR)CEO Min (V): 160V; IC (A): 0.2A; HFE Min: 80; HFE Max: 250; VCE (V): 5V; IC (mA): 10mA; VCE(SAT) (V): 0.15V; IC (mA)1: 10mA; IB (mA): 1mA; FT Min (MHz): 100 MHz; PTM Max (W): 0.2W; Package: SOT-363; package_code: SOT-363; mfr_package_code: SOT-363
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小286KB,共4页
制造商Galaxy Microelectronics
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MMDT5551概述

General Purpose Dual NPN Bipolar Transistor; Polarity: NPN×2; V(BR)CEO Min (V): 160V; IC (A): 0.2A; HFE Min: 80; HFE Max: 250; VCE (V): 5V; IC (mA): 10mA; VCE(SAT) (V): 0.15V; IC (mA)1: 10mA; IB (mA): 1mA; FT Min (MHz): 100 MHz; PTM Max (W): 0.2W; Package: SOT-363; package_code: SOT-363; mfr_package_code: SOT-363

MMDT5551规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SOT-363
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压160 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

 
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