Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to S Band, 100pF C(T), 12V, Silicon, Hyperabrupt, PLASTIC PACKAGE-3
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | R-CDSO-G3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最小击穿电压 | 12 V |
配置 | SINGLE |
最小二极管电容比 | 3.8 |
标称二极管电容 | 100 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
频带 | VERY HIGH FREQUENCY TO S BAND |
JESD-30 代码 | R-CDSO-G3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 220 |
最大功率耗散 | 0.25 W |
认证状态 | Not Qualified |
最小质量因数 | 80 |
最大重复峰值反向电压 | 12 V |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
变容二极管分类 | HYPERABRUPT |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved