IRF450-QR-B,IRF450-QR-B pdf中文资料,IRF450-QR-B引脚图,IRF450-QR-B电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRF450-QR-B

IRF450-QR-B: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小191KB，共3页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/

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IRF450-QR-B概述

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

IRF450-QR-B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	compliant
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (ID)	13 A
最大漏源导通电阻	0.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-204AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	52 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IRF450-QR-B相似产品对比

	IRF450-QR-B	IRF450R1	IRF450SMD-JQR-B
描述	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compli
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	500 V	500 V
最大漏极电流 (ID)	13 A	13 A	13 A
最大漏源导通电阻	0.4 Ω	0.4 Ω	0.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	52 A	52 A	52 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	-	TT Electronics plc	TT Electronics plc

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