UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC, DP, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 外壳连接 | SOURCE |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 65 V |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| D2010UKG4 | |
|---|---|
| 描述 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC, DP, 3 PIN |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 外壳连接 | SOURCE |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 65 V |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
