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RD4.7E-T1B3

产品描述Zener Diode, 4.81V V(Z), 2.08%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小491KB,共14页
制造商NEC(日电)
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RD4.7E-T1B3概述

Zener Diode, 4.81V V(Z), 2.08%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

RD4.7E-T1B3规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压4.81 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差2.08%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1
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