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RD6.8EB3

产品描述Zener Diode, 6.84V V(Z), 2%, 0.5W
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小170KB,共4页
制造商Rugao Dachang Electronics Co Ltd
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RD6.8EB3概述

Zener Diode, 6.84V V(Z), 2%, 0.5W

RD6.8EB3规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗8 Ω
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压6.84 V
表面贴装NO
最大电压容差2%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1

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SIYU
R
DO-35 Glass
max. 0.52
RD_EB Series
特征 Features
·反向漏电流小。
Low reverse leakage
·½纳击穿阻抗½。
low zener impedance
min.
27.5
·最大功率耗散500mW。
maximum power dissipation of 500 mW
·高稳定性和可靠性。
High stability and high reliability
1.8 0.2
3.8 0.2
CATHODE
MARK
机械数据
Mechanical Data
封装: DO-35 玻璃封装
Case: DO-35 Glass Case
极性: 色环端为负极
Polarity: Color band denotes cathode end
安装½½: 任意
Mounting Position: Any
min.
27.5
Unit:mm
极限值和温度特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
参数
Parameter
Power Dissipation
Operating junction temperature
Storage temperature range
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
符号
Symbols
数值
Value
500
175
单½
Unit
mW
功率消耗
工½结温
存储温度
Pd
T
j
Ts
-50 --- +150
电特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
稳压范围
型号
Type
Zener Voltage
反向特性
Reverese Current
动态电阻
Dynamic Resistance
V
Z
(V)
最小值
MIN.
最大值
MAX.
B
1.88
1.88
2.02
2.12
2.12
2.22
2.33
2.33
2.43
2.54
2.54
2.69
2.20
2.10
2.20
2.41
2.30
2.41
2.63
2.52
2.63
2.91
2.75
2.91
测试条件
Test condition
I
R
(µA)
最大值
MAX.
测试条件
Test condition
rd(Ω)
最大值
MAX.
测试条件
Test condition
I
Z
(mA)
V
R
(V)
0.5
I
Z
(mA)
RD2.0E B1
B2
B
RD2.2E
B1
B2
B
RD2.4E B1
B2
B
RD2.7E
B1
B2
20
120
140
20
20
120
0.7
120
20
20
120
1.0
100
20
20
100
1.0
100
20
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